試樣中被測(cè)元素的原子受到來(lái)自于X射線管的一次X射線激發(fā)而引起內(nèi)層電子的躍遷，同時(shí)發(fā)射出具有一定能量的X 射線二次熒光，利用高性能（能量分辨率<160eV）的X 射線硅漂移SDD檢測(cè)器探測(cè)試樣中被測(cè)元素所發(fā)出的各種能量的特征X 射線，根據(jù)檢測(cè)器輸出信號(hào)的能量高低（波長(zhǎng)）和強(qiáng)度來(lái)對(duì)被測(cè)元素進(jìn)行定性和定量分析。

1.2.1可在大氣中現(xiàn)場(chǎng)快速無(wú)損的（2秒顯示牌號(hào)和實(shí)驗(yàn)室級(jí)的分析結(jié)果/額外增加10秒可分析Mg，Al，Si，P，S）分析檢測(cè)并鑒別出各種不銹鋼，低合金鋼，有色合金，金屬等材質(zhì)中的常量和微量元素含量，檢出限可達(dá)幾個(gè)ppm, 并可根據(jù)用戶需要進(jìn)行擴(kuò)展，以滿足粉末，礦石，土壤等不同樣品更多的分析測(cè)試要求，測(cè)量元素可達(dá)41種。

1.2.2設(shè)備體積小，重量輕，分析精度高，一體化程度高，可靠性極佳，集多種應(yīng)用于一體，特別適用于高精度材料成分快速檢測(cè)。

1.2.3配有最先進(jìn)的Peltier電制冷硅漂移SDD（Sillicon Draft detector）計(jì)數(shù)器, 數(shù)據(jù)處理能力10倍于PIN二極管檢測(cè)器，可有效防止計(jì)數(shù)溢出造成的漏計(jì)。SDD技術(shù)顯著減少分析所占用的X射線開(kāi)啟時(shí)間，在同樣的儀器使用條件下可以測(cè)試更多的樣品，有效提升工作效率。

1.2.4 采用復(fù)合濾光片(多金屬?gòu)?fù)合材料) 設(shè)計(jì), 顯著減少了由于更換濾波片造成的分析時(shí)間的浪費(fèi)（最高縮短5倍時(shí)間），采用不同的激發(fā)條件保證對(duì)元素周期表中Mg – Th 的所有元素均有理想的激發(fā)效果，減少了操作時(shí)間，大幅度降低X射線對(duì)操作人員造成傷害的可能性, 是真正意義上的安全的快速無(wú)損現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)設(shè)備。

1.2.5 配置FP快速定性, 半定量(定量) 程序。可對(duì)任何完全未知的樣品進(jìn)行‘解剖’分析。與其他同類儀器相比，FP更為接近(符合)實(shí)際，在此程序中采用了數(shù)千種國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)樣品，實(shí)測(cè)結(jié)果并予以固化。

1.2.6 采用人機(jī)功效學(xué)原理，一體化的ePC可以完成諸如：儀器控制，測(cè)試操作，自動(dòng)識(shí)別，背底扣減，譜峰重疊，堆砌峰/逃逸峰校正，定量計(jì)算等操作功能。儀器采用分級(jí)密碼，重要的數(shù)據(jù)得到保護(hù)。標(biāo)準(zhǔn)USB接口更方便數(shù)據(jù)傳出。

1.2.7 具備Interlock安全互鎖和硬體快門(mén)。如未檢測(cè)到測(cè)試樣品，快門(mén)互鎖裝置會(huì)于200毫秒內(nèi)自動(dòng)關(guān)閉快門(mén)并同時(shí)切斷X射線，連鎖保護(hù)功能最大程度保護(hù)操作人員的人身安全；快門(mén)即為目前所有品牌中唯一內(nèi)置的ICAL自校準(zhǔn)樣品，自動(dòng)校準(zhǔn)儀器，自動(dòng)修正偏差，無(wú)需外置自校準(zhǔn)標(biāo)樣，保證分析結(jié)果的準(zhǔn)確性。

1.2.8儀器在Windows CE操作系統(tǒng)上建立斯派克的分析軟件，操作極為方便。采用人機(jī)功效學(xué)原理，譜圖匯編，自動(dòng)識(shí)別，背底扣減，譜峰重疊，堆砌峰/逃逸峰校正。定性、定量功能強(qiáng)大。儀器采用分級(jí)密碼，重要的數(shù)據(jù)得到保護(hù)。

1.2.9儀器具有多種校正模式(數(shù)學(xué)模型)(方法)，在定量分析中可充分應(yīng)用，以取得最佳的分析結(jié)果。方法包括: 基本參數(shù)法、盧卡斯經(jīng)驗(yàn)系數(shù)法、質(zhì)量吸收系數(shù)法、基體匹配校正等等。